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MOSFET

"Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor". Bei MOS-FETs erfolgt die Ansteuerung über eine Isolierschicht aus Metalloxid. Häufig wird auch die Bezeichnung IGFET (isolated Gate-FET) verwendet. Der wesentliche Vorteil von MOS-FETs im Gegensatz zu Bipolaren Transistoren ist, dass er zum ersten in der Lage ist größer Ströme zu Schalten, zum zweiten kann er schneller schalten als die Bipolaren. Der einzige Nachteil bei ihnen ist, dass sie sehr schnell durch zu Hohe Spannungen am Gate zerstört werden können, es reicht zum Beispiel schon die statische Aufladung des Menschen, denn durch eine Berührung ohne sich zu erden, Entlädt sich der "Kondensator" Mensch und wird die sehr empfindliche Gateschicht zerstört. Die zwei gängigsten Untergruppen sind der Anreicherungstyp und der Verarmungstyp.
Beim Anreicherungstyp ist wenn an der Gate- Source Strecke keine Spannung anliegt noch kein Kanal ausgebildet somit ist er noch nicht leitend, und es werden auch erst positive Ladungsträger in den Kanal gezogen, wenn an der Gate- Source Strecke eine positive Spannung anliegt. Erst dann ist der nun ausgebildete Kanal Leitfähig und somit auch steuerbar.
Beim Verarmungstyp ist wenn an der Gate- Source Strecke 0 Volt anliegt schon ein leitender Kanal ausgebildet dieser kann jedoch noch weiter ausgebildet werden (Durch Erhöhung der Spannung) aber auch abgeschnürt (also weniger leitend) werden. Die vollkommene Abschnürung tritt bei -7 Volt der Gate- Source Spannung ein.

 

 



 


 
 
 
 


 
 


 
 
 
 

 
 
 
 


 


 


 


 


 


 

 


 


 


 


 

 


 
 


 

 


 

 

 

 

 

 

 

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